| 发明名称 |
A method of making a stacked capacitor type memory cell |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2334621(A) |
申请公布日期 |
1999.08.25 |
| 申请号 |
GB19990003875 |
申请日期 |
1999.02.19 |
| 申请人 |
* NEC CORPORATION |
发明人 |
NOBUYUKI * YAMANISHI;TOSHIYUKI * HIROTA |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/320 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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