| 发明名称 |
METHOD OF FORMING SILICIDE LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100214846(B1) |
申请公布日期 |
1999.08.02 |
| 申请号 |
KR19960047568 |
申请日期 |
1996.10.22 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS IND. CO.,LTD |
发明人 |
BYUN, SUNG-CHUL |
| 分类号 |
H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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