发明名称 制造电子束影像图用电子束遮罩的方法及用于制造一电子束遮罩的装置
摘要 本发明系提供一种建造电子束影像图用电子束遮罩的方法,包括下列步骤:自储存于储存媒体内的设计资料中粹取出一个含有要形成于电子束遮罩上图案之单元的步骤;利用该粹取单元所含的设计资料计算出电子束遮罩内所要求开口区段之开口面积的步骤;利用此开口面积产生建造开口用之单元资料的步骤;以及利用此建造开口用的单元资料于电子束遮罩内形成一个基本开口图案的步骤。
申请公布号 TW364157 申请公布日期 1999.07.11
申请号 TW087100545 申请日期 1998.01.16
申请人 电气股份有限公司 发明人 山下浩;中岛谦;田村贵央;野末宽
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种制造电子束影像图用电子束遮罩的方法,包括下列步骤:自储存于储存装置内的设计资料中粹取出一个含有要形成于电子束遮罩上之图案的单元;利用该粹取单元所含的设计资料计算出电子束遮罩内所要求开口区段的开口面积;利用此开口面积产生建造开口用的单元资料;以及利用此建造开口用的单元资料于电子束遮罩内形成一个基本开口图案。2.如申请专利范围第1项的方法,其中于单元粹取程序最好是粹取出具有最大重复次数的单元。3.如申请专利范围第1项的方法,其中开口区的面积是利用结合于设计资料内的图案线宽和长度计算而得的。4.一种制造电子束影像图用电子束遮罩的方法,包括下列步骤:自储存于储存装置内的设计资料中粹取出一个含有要形成于电子束遮罩上之图案的单元;利用此设计资料计算出电子束遮罩内所要求开口区段的开口面积;利用此设计资料查阅该单元内所含相邻图案之间的节距及图案的最小线宽;利用查得的最小线宽及节距查阅基本开口图案所容许的开口面积;比较所容许的开口面积和计算得的开口面积;以比较结果为基础以产生建造开口用的单元资料;以及利用此建造开口用的单元资料于电子束遮罩上形成一个基本开口图案。5.如申请专利范围第4项的方法,其中于单元粹取程序最好是粹取出具有最大重复次数的单元。6.如申请专利范围第4项的方法,其中开口区段的面积是利用结合于设计资料内的图案线宽和长度计算而得的。7.如申请专利范围第4项的方法,其中若开口面积大于这个所容许的开口面积,则作单元分割并利用经分割单元建造出建造开口用的单元资料。8.如申请专利范围第7项的方法,其中重复执行单元分割直到开口面积变得小于所容许的开口面积为止。9.如申请专利范围第4项的方法,其中于单元分割程序内是均等地分割单元内所含的图案。10.如申请专利范围第4项的方法,其中若所粹取单元的尺寸大于一个预设数値则预先分割该单元。11.一种制造电子束影像图用电子束遮罩的方法,包括下列步骤:自储存于储存装置内的设计资料中粹取出一个含有要形成于电子束遮罩上之图案的单元;利用此设计资料计算出电子束遮罩内所要求开口区段的开口面积;利用此设计资料查阅该单元内所含相邻图案之间的节距及图案的最小线宽;利用查得的最小线宽及节距查阅基本开口图案所容许的开口面积;比较所容许的开口面积和计算得的开口面积;以比较结果为基础重设该单元的尺寸;利用此尺寸重设的单元产生建造开口用的单元资料;以及利用此建造开口用的单元资料于电子束遮罩内形成一个基本开口图案。12.如申请专利范围第11项的方法,其中于单元粹取程序中最好是粹取出具有最大重复次数的单元。13.如申请专利范围第11项的方法,其中开口区段的面积是利用结合于设计资料内的图案线宽和长度计算而得的。14.如申请专利范围第11项的方法,其中若开口面积大于这个所容许的开口面积,则作单元的尺寸重设并利用此尺寸重设之单元建造出建造开口用的单元资料。15.如申请专利范围第14项的方法,其中重复执行单元的尺寸重设直到开口面积变得小于所容许的开口面积为止。16.如申请专利范围第11项的方法,其中单元尺寸重设的执行是于单元内分割出所含图案的一部分。17.如申请专利范围第11项的方法,其中若所粹取单元的面积大于一个预设値则预先对此单元作尺寸重设。18.一种制造电子束影像图用电子束遮罩的装置,包括:一个最小线宽/节距的查阅装置,系用来查阅粹取单元内所含图案的最小线宽及相邻图案之间的节距;一个容许开口面积的查阅装置,系利用查得的最小线宽和节距以计算出电子束遮罩所容许的开口面积;一个开口面积的计算器,系利用该单元内图案的设计资料计算出电子束遮罩的开口面积;一个开口面积的比较器,系用来比较这个所容许的开口面积与该开口面积;一个单元资料决定装置,系藉此一比较器的输出以决定出建造开口用的单元资料;以及一个电子束遮罩建造区段,系利用该建造开口用的单元资料以建造一个电子束遮罩。19.如申请专利范围第18项的装置,其中若该单元资料决定装置的开口面积大于所容许的开口面积,则作单元分割并将经分割单元之单元资料决定为建造开口用的单元资料。图式简单说明:第一图显示根据本发明之电子束影像图装置的布局图;第二图显示利用根据本发明电子束遮罩建构方法所建构之电子束遮罩的平面图;第三图显示建构电子束遮罩用装置的布局图;第四图表列根据本发明一实施例中基本开口图案所容许的最大开口面积Smax;第五图系用来解说根据本发明电子束遮罩建构方法中粹取基本开口图案之步骤的图示;第六图显示将设计资料转换成影像图资料的图示;第七图显示由第五图中所示方法所建构之电子束遮罩的平面图;第八图系用来解说根据本发明另一实例之电子束遮罩建构方法中粹取基本开口图案之步骤的图示;第九图显示依第八图中所示方法所建构电子束遮罩的平面图;第十图显示习知电子束影像图装置的布局图;第十一图显示射束电流与射束模糊之间的关系图。
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