| 发明名称 |
CELL ARRAY STRUCTURE OF MULTI-BIT NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100206709(B1) |
申请公布日期 |
1999.07.01 |
| 申请号 |
KR19960041483 |
申请日期 |
1996.09.21 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
CHOI, JUNG-DAL |
| 分类号 |
H01L21/8247;G11C11/56;G11C16/04;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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