发明名称 光敏性树脂组成物及使用彼于电子装置中形成图样之方法
摘要 光敏性树脂组成物包含(a)由下列通式〔I〕所表示之聚醯胺酸;CC [I]其中,A:具有6-39碳原子之四价芳香族基,或具有4-39碳原子之四价脂肪族基,B:具有3-39碳原子之二价芳香族基或脂肪族基,n:10-720之整数,及(b)藉由电磁波辐射产生一级或二级胺之光化学硷产生剂,或藉由电磁波辐射产生自由酸之光化学酸产生剂,及胺基化合物,其中光化学硷产生剂或光化学酸产生剂以0.01mol至小于0.2mol之量与1mol聚醯胺酸之羧基混合,而胺基化合物与大于光化学酸产生剂当量之量混合,该光敏性树脂组合物被提供于受质上形成聚醯胺酸图样,且使用该方法用以制造电子元件。
申请公布号 TW360687 申请公布日期 1999.06.11
申请号 TW084112450 申请日期 1995.11.22
申请人 日立化成工业股份有限公司;日立制作所股份有限公司 发明人 三轮崇夫;平野利则;石田美奈;冈部义昭;前川康成
分类号 C08L79/08;G03F7/00 主分类号 C08L79/08
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种可以硷性水溶液显影之光敏性树脂组成物, 包含(a )由下列通式[I]所表示之聚醯胺酸;其中,A:具有6-39 碳原子之四价芳香族基,或具有4-39碳原子之四价 脂肪族 基,B:具有3-39碳原子之二价芳香族基或脂肪族基,n: 10-720之整数,且具有数値平均分子量范围10,000-300, 000,做为转换成为苯乙烯之转换値(由凝胶渗透色 层分析 法(GPC),及(b)由电磁波辐射所产生一级或二级胺光 化学 硷产生剂,或藉由电磁波辐射所产生自由酸光化学 酸产生 剂及胺基化合物,其中光化学硷产生剂或光化学酸 产生剂 以0.01mol至小于0.2mol之量与1mol之聚醯胺酸之羧基 混 合,且一级或二级胺基化合物与大于光化学酸产生 剂当量 之量而混合之。2.如申请专利范围第1项之光敏性 树脂组成物,其中该光 化学酸产生剂包括至少下列化合物之一;4-吗啡酚 基苯基 二偶氮,三苯基铳六氟锑酸,硝基基甲苯 磺酸 ,羟基二苯甲酮之甲烷磺化酯,二烯丙基碘,2,4,6-( 三氯甲基)三,与三(2,3-二溴丙基)异氰尿酸 。3.如申请专利范围第1项之光敏性树脂组成物,其 中该光 化学硷产生剂包括至少下列化合物之一;基胺 基化合 物,基四铵,亚胺,亚胺,钴-胺,及基胺基 甲酸。4.一种图样形成方法,该方法包含下列步 骤:形成聚醯胺 酸薄膜包含(a)一种由下列通式[I]所表示之聚醯胺 酸;其 中,A:具有6-39碳原子之四价芳香族基,或具有4-39碳 原子之四价脂肪族基,B:具有3-39碳原子之二价芳香 族 基或脂肪族基,n:10-720之整数,及(b)一种藉由电磁波 辐射所产生一级或二级胺之光化学硷产生剂,或藉 由电磁 波辐射产生自由酸之光化学酸产生剂及胺基化合 物,其中 在受质上,光化学硷产生剂或光化学酸产生剂以0. 01mol 至小于0.2mol之范围之量与一mol之聚醯胺酸之羧基 混合( 当使用光化学酸产生剂时,必须包括大于光化学酸 产生剂 之较大胺基化合物当量),在薄膜上,辐射电磁波照 射放 置有遮光模之聚醯胺酸薄膜,加热所述之聚醯胺酸 薄膜, 及以硷性水溶液显影所述之聚醯胺酸薄膜。5.一 种图样形成方法,该方法包含下列步骤:应用由下 列 成份所构成之光敏性树脂组成物:下列(a)与(b)化合 物之 1-45重量%及在受质上99-55重量%之溶剂;(a)由下列通 式 [I]所表示之聚醯胺酸;其中,A:具有6-39碳原子之四 价 芳香族基,或具有4-39碳原子之四价脂肪族基,B:具 有3 -39碳原子之二价芳香族基或脂肪族基。n:10-720之 整数 ,及(b)一种藉由电磁波辐射所产生一级或二级胺之 光化 学硷产生剂,或藉由电磁波辐射产生自由酸之光化 学酸产 生剂及一种胺基化合物,其中在受质上,光化学硷 产生剂 或光化学酸产生剂以0.01mole至小于0.2mole之范围之 量 与1mol之聚醯胺酸之羧基混合(当使用光化学酸产 生剂时 ,必须包括大于光化学酸产生剂之较大胺基化合物 当量) ,在树脂组合物上,辐射电磁波照射放置有遮光模 之光敏 性树脂组合物,加热所述之光敏性树脂组成物,及 以硷性 水溶液显影所述之光敏性树脂组成物。6.如申请 专利范围第4项之图样形成方法,其中该光化学 酸产生剂包括下列化合物之一;4-吗啡酚基苯基二 偶氮 ,三苯基铳六氟锑酸,硝基基甲苯磺酸,羟基 二苯 甲酮之甲烷磺化酯,二烯丙基碘,2,4,6-(三氯甲 基) 三,与三(2,3-二溴丙基)异氰尿酸。7.如申请 专利范围第4项之图样形成方法,其中该光化学 硷产生剂包括下列化合物至少一种;基胺基化 合物, 基四铵,亚胺,亚胺,钴-胺,及基胺基甲 酸 。图式简单说明:第一图(a),第一图(b),第一图(c) ,与第一图(d)为用以解释使用本发明之光敏性树脂 组成 物之图案形成方法之薄膜示意剖面图,第二图系为 指示在 包含聚醯胺酸与异丙基胺之混合物之醯亚胺部份 与加热时 间之间之关系图,及第三图(a),第三图(b),第三图(c) 与第三图(d)为解释使用本发明之光敏性树脂,半导 体元 件之制造方法,其树脂密封型式半导体元件之概要 部面图 。
地址 日本
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