| 发明名称 | 磁头 | ||
| 摘要 | 一种磁头包括:下磁极21;绝缘层23,形成在下磁极21上;线圈,配置在下磁极21上穿过绝缘层23以及上磁极24,在其端部形成磁极24a,相对下磁极21形成间隙并且该上磁极由在绝缘层23上由具有饱和磁通密度为Bs(T),电阻率为ρ(μΩcm)的磁性材料构成,层厚为δ(μm),上磁极24的两侧边由磁极24a的根部延伸形成锥角θ(度),由此上磁极(24)可以满足(1+tgθ)δBs/<img file="98104293.7_ab_0.GIF" wi="44" he="37" />≤1.0的条件。 | ||
| 申请公布号 | CN1204835A | 申请公布日期 | 1999.01.13 |
| 申请号 | CN98104293.7 | 申请日期 | 1998.01.22 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 田河育也 |
| 分类号 | G11B5/31 | 主分类号 | G11B5/31 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1．一种磁头，包括：下磁极(21)；绝缘层(23)，形成在所述下磁极(21)上；线圈(22)，配置在所述下磁极(21)上，穿过所述绝缘层(23)；以及上磁极(24)，在其顶端部形成磁极(24a)相对所述下磁极(21)具有间隙，该上磁极在所述绝缘层(23)上由饱和磁通密度为Bs(T)以及电阻率为ρ(μΩcm)的磁性材料构成，层厚为δ(μm)，所述上磁极(24)的两侧由所述磁极的根部延伸形成锥角θ(度)。其中所述上磁极(24)可以满足<math> <mrow> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>+</mo> <mi>tgθ</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mi>δBs</mi> <mo>/</mo> <msqrt> <mi>ρ</mi> </msqrt> <mo>≤</mo> <mn>1</mn> <mo>.</mo> <mn>0</mn> </mrow> </math> 的条件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||