| 发明名称 |
VOLTAGE SENSING METHOD OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0157342(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.01 |
| 申请号 |
KR19950015214 |
申请日期 |
1995.06.09 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD |
发明人 |
PARK, JONG-UK |
| 分类号 |
G11C11/413;G11C16/04;G11C16/06;G11C16/08;G11C17/00;(IPC1-7):G11C16/06 |
主分类号 |
G11C11/413 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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