| 主权项 |
1.一种于积体电路制造中光蚀刻期间提供闸极与内连接线一消除颈缩现象而使尺寸均匀之方法,包括:于一半导体衬底其内与其上提供围绕外露主动区之场氧化绝缘区,其中该半导体衬底之表面具有一不平整构形;于该半导体衬底之该场氧化区与该主动区上植一闸矽氧化层;于该闸矽氧化层上沈积一导电层,其中该导电层的宽度系为该精密尺寸;以一平整涂层涂覆该导电层,其中该平整涂层于该衬底之表面平整涂布;于该平整涂层表面上沈积一半导体层,其中该半导体层形成一相对于光化学性光为呈不透光之表面的硬性光罩;以一均匀厚度之光阻剂层涂覆该硬性光罩;将该光阻剂层曝光于光化学性中,其中该硬性光罩防止该光化学性光自其表面反射并显影及定义出该光阻剂层以对该导电层制成所欲求之光阻剂光罩;非均质地蚀刻掉该硬性光罩、该平整涂层以及该导电层未被该光阻剂光罩覆盖之处以制成该闸极与内连接线;以及去除该光阻剂、剩下的硬性光罩及剩下的平整涂层,以完成于该积体电路的制造中具该均匀精密尺寸之该闸极与内连接线的构成。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该不平整构形具有一约于1000A-4000A间之垂直高度差。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层包括具一约2000A-4000A间厚度之复晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层包括具一约2000A-4000A间厚度之复矽化物。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该平整涂层包括涂覆约1000A-4000A间厚度之旋施玻璃。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该旋施坡璃材料系为一矽酸盐。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该旋施坡璃材料系为一矽氧烷。8.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该旋施玻璃涂层系于约200℃-400℃间被烘焙约15-40分钟。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该平整涂层包括沈积约1000A-4000A间厚度之磷矽酸玻璃以及其中该层系被回流。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该平整涂层包括沈积约1000A-4000A间厚度之硼磷矽酸玻璃以及其中该层系被回流。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该平整涂层包括一沈积约1000A-4000A间厚度之硼磷矽酸玻璃及沉积约1000A-4000A间厚度之四乙氧基矽烷玻璃之双层且其中该双层系被回流。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体层包括喷涂沈积约100A-400A间厚度之钛。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体层包括喷涂沈积约100A-400A间厚度之钛氮化物。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体层包括喷涂沈积约100A-400A间厚度之非晶矽。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中剩下之该硬性光罩系藉由氨水溶液与过氧化氢溶液而被去除。16.如申请专利范围第5项所述之方法,其中剩下之该平整涂层系藉由氢氟酸溶液而被去除。17.如申请专利范围第9项所述之方法,其中剩下之该平整涂层系藉由氢氟酸溶液而被去除。18.如申请专利范围第9项所述之方法,其中剩下之该平整涂层系藉由电浆蚀刻而被去除。19.如申请专利范围第10项所述之方法,其中剩下之该平整涂层系藉由氢氟酸溶液而被去除。20.如申请专利范围第10项所述之方法,其中剩下之该平整涂层系藉由电浆蚀刻而被去除。21.如申请专利范围第11项所述之方法,其中剩下之该平整涂层系藉由氢氟酸溶液而被去除。22.如申请专利范围第11项所述之方法,其中剩下之该平整涂层系藉由电浆蚀刻而被去除。23.一种于积体电路制造中光蚀刻期间提供闸极与内连接线一消除颈缩现象而使尺寸均匀之方法,包括:于一半导体衬底其内与其上提供围绕未形成反射层主动区之场氧化绝缘区,其中该半导体衬底之表面具有一不平整构形;于该半导体衬底之该场氧化区与该主动区上植一闸矽氧化层;于该闸矽氧化层上沈积一导电层,其中该导电层的宽度系为该精密尺寸;于该导电层表面上沈积一半导体层,其中该半导体层形成一对光化学性光为不透明之硬性光罩;以一平整涂层涂覆该硬性光罩,其中该平整涂层于该衬底之表面平整涂布;以一均匀厚度之光阻剂层涂覆该平整涂层;将该光阻剂层曝光于光化学性光中,其中该硬性光罩防止该光化学性光自其表面反射并显影及定义该光阻剂层以对该导电层制成所欲求之光阻剂光罩;非均质地蚀刻掉该平整涂层、该硬性光罩以及该导电层未被该光阻剂光罩覆盖之处以制成该闸极与内连接线;以及去除该光阻剂、剩下的平整涂层及剩下的硬性光罩,以完成于该积体电路的制造中具该均匀尺寸之该闸极与内连接线之构成。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该不平整构形具有一约于1000A-4000A间的垂直高度差。25.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该导电层包括具一约2000A-4000A间厚度之复晶矽。26.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该导电层包括具一约2000A-4000A间厚度之复矽化物。27.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该平整涂层包括涂覆约1000A-4000A间厚度之旋施坡璃。28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该旋施玻璃层系于200℃-420℃间被烘焙约15-40分钟。29.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该平整涂层包括沈积约1000A-4000A间厚度之磷矽酸坡璃以及其中该层系被回流。30.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该平整涂层包括沈积约1000A-4000A间厚度之硼磷矽酸坡璃以及其中该层系被回流。31.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该平整涂层包括一沈积约1000A-4000A间厚度之硼磷矽酸玻璃及沈积约1000A-4000A间厚度之四乙氧基矽烷玻璃之双层且其中该双层系被回流。32.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该半导体层包括喷涂沈积约100A-400A间厚度之钛。33.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该半导体层包括喷涂沈积约100A-400A间厚度之钛氮化物。34.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该半导体层包括喷涂沈积约100A-400A间厚度之非晶矽。35.如申请专利范围第23项所述之方法,其中剩下之该硬性光罩系藉由氨水溶液与过氧化氢溶液而被去除。36.一种于积体电路制造中光蚀刻期间提供闸极与内连接线一消除颈缩现象而使尺寸均匀之方法,包括:于一半导体衬底其内与其上提供围绕外露主动区之场氧化绝缘区,其中该半导体衬底之表面具有一不平整构形;于该半导体衬底之该场氧化区与该主动区上植一闸矽氧化层;于该闸矽氧化层上沈积一导电层,其中该导电层之宽度系为该精密尺寸;于该导电层表面上涂布一旋施玻璃层,其中该旋施玻璃层于该衬底之表面平整涂布;于该旋施玻璃层之表面沈积一钛层,其中该钛层系对光化学性光为不透明;以一均匀厚度之光阻剂层涂覆该钛层;将该光阻剂层曝光于光化学性光中,其中该钛层防止该光化学性光自其表面反射并显影及定义该光阻剂层以对该导电层制成所欲求之光阻剂光罩;非均质地蚀刻掉该钛层、该旋施玻璃层、以及该导电层未被该光阻剂光罩覆盖之处以制成该闸极与内连接线;以及去除该光阻剂光罩、剩下的钛层及剩下的旋施玻璃层,以完成于该积体电路的制造中具该均匀精密尺寸之该闸极与内连接线的构成。37.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该不平整构形具有一约于1000A-4000A间的垂直高度差。38.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该导电层包括具一约2000A-4000A间厚度之复晶矽。39.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该导电层包括具一约2000A-4000A间厚度之复矽化物。40.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该旋施玻璃材料系为一涂布约1000A-4000A间厚度之矽酸盐。41.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该旋施坡璃材料系为一涂布约1000A-4000A间厚度之矽氧烷。42.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该旋施玻璃层系于200℃-420℃间被烘焙约15-40分钟。43.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该钛层系被喷涂沈积至100A-400A间之厚度。44.如申请专利范围第36项所述之方法,其中剩下之该钛层系藉由氨水溶液与过氧化氢溶液而被去除。45.如申请专利范围第36项所述之方法,其中剩下之该旋施玻璃层系藉由氢氟酸溶液而被去除。图式简单说明:第一图及第二图以剖面图的形式举例说明先前技艺之工艺。第三图以顶视图的形式举例说明若干先前技艺之缺失。第四图以剖面图的形式举例说明本发明之一较佳实施例。第五图A及第五图B以剖面图的形式举例说明本发明较佳实施例中的两种比较方案。第六图及第七图以剖面图的形式举例说明本发明之一较佳实施例。第八图以顶视图的形式举例说明本发明之一较佳实施例。 |
