| 主权项 |
1.一种自对准接触结构,该结构适用于一金氧半电晶体并置于一半导体基体上,该结构包括:一闸极,生成于上述基体之既定位置上;一第一介电层,生成于上述闸极之上;一第二介电层,生成于上述第一介电层上;一第三介电层,生成于上述第二介电层上;一第四介电层,环绕于上述闸极周围;以及一边墙间隔物,环绕于于上述第一介电层,上述第二介电层,上述第三介电层,以及上述第四介层周围。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中上述基体系为一已做Vt植入之基体。3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中上述第一介电层系为一氧化物层。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中上述第二介电层系为一氮化物层。5.如申请专利范围第1项所述之结构,其中上述第三介电层系为一原矽酸四乙酯层。6.如申请专利范围第1项所述之结构,其中上述第四介电层系为一氧化物层。7.如申请专利范围第1项所述之结构,其中上述边墙间隔物系为一氮化物边墙间隔物。8.一种生成自对准接触结构之制造方法,该自对准接触结构适用于生成于一半导体基体上之一金氧半电晶体中,该制造方法包括:对上述基体做Vt植入:生成一闸极于上述基体之既定位置上;生成一第一介电层于上述闸极之上;生成一第二介电层于上述第一介电层上;生成一第三介电层于上述第二介电层上;对上述闸极作蚀刻;生成一第四介电层,该第四介电层系环绕于上述闸极周围;生成一边墙间隔物,该边墙间隔物系环绕于于上述第一介电层,上述第二介电层,上述第三介电层,以及上述第四介电层周围;以及蚀刻上述边墙间隔物以形成接触窗。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中上述第一介电层系以氧化物做沉积而得。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中上述第二介电层系以氮化物做沉积而得。11.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中上述第三介电层系以原矽酸四乙酯做沉积而得。12.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中上述第四介电层系以原矽酸四乙酯做沉积而得。13.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中上述边墙间隔物系以氮化物做沉积而得。14.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中可对上述闸极掺杂入POCl3,以增加闸极之导电度。图式简单说明:第一图a至第一图c所示为根据习知技术之自对准接触之制造方法及其结构;以及第二图a至第二图c所示为根据本发明之自对准接触之制造方法及其结构。 |
