| 发明名称 | 一种层间绝缘膜受到保护的半导体器件和制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件,其中形成在设置于半导体基底上的层间绝缘膜上的孔中隐埋互连材料,该半导体器件包括一保护层,该保护层形成于层间绝缘膜的表面上,在化学机械抛光过程中,其具有较互连材料更低的抛光率。本发明还揭示了制作这种半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1196572A | 申请公布日期 | 1998.10.21 |
| 申请号 | CN98100792.9 | 申请日期 | 1998.03.24 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 铃木三惠子;久保亨 |
| 分类号 | H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其中，在一个设置于一半导体基底上的层间绝缘膜内形成的孔中隐埋有互连材料，其特征在于该半导体器件包括：一个在所说的层间绝缘膜的表面上形成的保护层，在化学机械抛光过程中其具有比互连材料的抛光率更低的抛光率。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||