| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件的制造方法,包括先沉积掺杂多晶硅层,对多晶硅层构图,以决定电容器下电极的范围,然后沉积第一半球状硅晶粒层。干扰第一层HSG－Si的生长,以进行第二层HSG－Si的生长。从而可形成接触面积很大的多晶硅表面结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1195886A | 申请公布日期 | 1998.10.14 |
| 申请号 | CN97110282.1 | 申请日期 | 1997.04.10 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 游萃蓉;卢火铁;孙世伟 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L21/283;H01L21/285 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供一硅层，覆盖一硅基底或在该硅基底上方；在该硅层上，提供一第一半球状硅晶粒层；以及在该第一半球状硅晶粒层上沉积一第二半球状硅晶粒层，其中该第一半球状硅晶粒层包括多个第一半球状硅晶粒，该第二半球状硅晶粒层包括多个第二半球状硅晶粒，使得第二半球状硅晶粒能在第一半球状硅晶粒上生成。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||