具有低行列漏电流的场致发射器件的制造方法

摘要

用于制造类金刚石碳场致发射器件的方法包括步骤:(i)在列导体上形成镇流电阻层,(ii)在镇流电阻层上,对准列导体的阱区,做出由类金刚石碳制成的表面发射体,(iii)在镇流电阻层和表面发射体上,形成场整形层,(iv)图形化镇流电阻层和场整形层,以形成镇流电阻和场整形层,二者的相对边缘与列导体的相对边缘,一起构成光滑连续的表面,(v)淀积覆盖绝缘层,(vi)在列导体的阱区的上方,形成发射阱。

主权项

1.制造具有低行列漏电流的场致发射器件(300，800)的方法，其特征在于包括以下步骤：提供一个有主面的支撑衬底(310，810)；在支撑衬底(310，810)的主面上形成导电层；图形化导电层，形成有中央阱区(332，832)和相对边缘的列导体(330，830)；在列导体(330，830)上形成镇流电阻层(364)；在镇流电阻层(364)上形成场致发射材料层(369)；图形化场致发射材料层(369)，形成表面发射体(370，870)，其相对边缘与列导体(330，830)的中央阱区(332，832)对准；在表面发射体(370，870)和镇流电阻层(364)上形成场整形层(374)；用第一刻蚀剂图形化场整形层(374)，以形成有相对边缘的场整形器层(377)；用第二刻蚀剂图形化镇流电阻层(364)，以形成镇流电阻(365，865)，其相对边缘与场整形器层(377)的相对边缘以及列导体(330，830)的相对边缘对齐；列导体(330，830)的相对边缘、镇流电阻(365，865)的相对边缘以及场整形器层(377)的相对边缘，形成光滑连续的表面(371，871)；在场整形器层(377)和光滑连续的表面(371，871)上形成绝缘层(341)；在绝缘层(341)上形成行导体(350，850)；有选择地刻蚀绝缘层(341)和场整形器层(377)，形成场整形器(375，875)和发射阱(360，860)，阱与列导体(330，830)的中央阱区(332，832)对准；提供与行导体(350，850)分离开的阳极(380，880)，二者之间形成间隙区。