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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines integrierten, optischen Halbleiterschaltkreises
摘要
申请公布号 DE69411696(D1) 申请公布日期 1998.08.20
申请号 DE1994611696 申请日期 1994.12.27
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 KATO, TOMOAKI, C/O NEC CORPORATION, TOKYO, JP
分类号 H01L21/205;B82Y10/00;B82Y20/00;B82Y40/00;G02F1/025;H01L33/00;H01S5/00;H01S5/026;H01S5/0625;H01S5/20;H01S5/227;H01S5/343;(IPC1-7):H01S3/19;H01S3/025;H01S3/103;H01L21/20;H01L27/14 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
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