半导体器件的评价方法

摘要

提供以良好的再现性进行半导体器件扩散层区域的形状评价的技术。把铝电极5、7分别连接到P型硅衬底4和N型扩散层区域6后,使P型硅衬底4和N型扩散层区域6的剖面分别显露出来。其次,把铝电极5和白金电极1共同连接到直流电源3a的阴极一端,把铝电极7连接到直流电源3a的阳极一端。其次,把上述样品浸入酒精及氢氟酸的混合溶液2中,用直流电源3a施加高于临界电压的电压。

主权项

1.一种半导体器件的评价方法，其特征在于，备有：(a)把具有N型第1区域和P型第2区域的半导体器件浸入氢氟酸及酒精的混合溶液中，至少使所述第1区域显露出来的工序；以及(b)使所述第1区域对所述混合溶液为高电位的工序，而该混合溶液对所述第2区域为高电位或同电位。