| 发明名称 | 半导体陶瓷组分 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种不包含Pb的半导体陶瓷组分，其能够将居里温度改变到正向，并且控制常温电阻率，以及具有优异的跳跃特性。由于其中BaTiO<sub>3</sub>的部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组分具有其中晶粒的中心部分和外壳部分的组分彼此不同的晶体，因此该组分能够增强室温电阻率和跳跃特性的控制，因此它是用于PTC热敏电阻、PTC加热器、PTC开关、温度检测器等的最佳材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101389581A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200780006968.3 | 申请日期 | 2007.02.27 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 岛田武司;田路和也 |
| 分类号 | C04B35/46(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨本良;文 琦 |
| 主权项 | 1. 一种半导体陶瓷组分，其中BaTiO3的部分Ba被Bi-Na替代，所述半导体陶瓷组分包含其中晶粒的中心部分和外壳部分的组分彼此不同的晶体。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||