| 发明名称 | 移相掩模及其制造方法 | ||
| 摘要 | 移相掩模200的第2光透射部4由透射率为2%以上且小于5%的钼硅化合物的氧化氮化膜或钼硅化合物的氧化膜4构成。在第2光透射部4的制造过程中,用溅射法形成钼硅化合物的氧化膜或钼硅化合物的氧化氮化膜。因此,相对于现有的透射率为5～40的衰减型移相掩模来说,能提高移相掩模的分辨率,能防止由于在抗蚀剂图形的周围生成的旁瓣所造成的抗蚀剂膜的破坏。 | ||
| 申请公布号 | CN1174613A | 申请公布日期 | 1998.02.25 |
| 申请号 | CN96191933.7 | 申请日期 | 1996.10.23 |
| 申请人 | 阿尔贝克成膜株式会社;三菱电机株式会社 | 发明人 | 悳昭彦;小林良一;吉冈信行;渡壁弥一郎;宫崎顺二;成松孝一郎;山下重则 |
| 分类号 | G03F1/08;H01L21/30 | 主分类号 | G03F1/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 姜郛厚;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种移相掩模，它备有使曝光光线透过的基板和在该基板的主表面上形成的移相图形，其特征在于：上述移相图形具有使上述基板露出的第1光透射部和第2光透射部，该第2光透射部使透射的曝光光线的相位和透射率相对于透过上述第1光透射部的曝光光线的相位变换180°，而且透射率为2％以上且小于5％，它是从由金属氧化膜、金属氧化氮化膜、金属硅化物的氧化膜及金属硅化物的氧化氮化膜构成的群中选择的1种材料构成的。 | ||
| 地址 | 日本秩父市 | ||