| 发明名称 |
Low-temperature MOSFET source drain structure with ultra-short channel |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0603102(B1) |
申请公布日期 |
1998.01.28 |
| 申请号 |
EP19930480189 |
申请日期 |
1993.11.19 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
SUBBANNA, SESHADRI |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/772;H01L27/092;H01L29/45;H01L29/43 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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