Halbleitereinrichtung mit einer Spannungswandlerschaltung zum Umwandeln einer extern angelegten Betriebsspannung in eine vorbestimmte Spannung, insb. einer Speichereinrichtung sowie entsprechendes Betriebsverfahren für diese Halbleitereinrichtung

摘要

The semiconductor memory device contains a voltage converting circuit. The voltage converting circuit includes a plurality of reference voltage generating circuits for respectively generating a plurality of reference voltages at different levels. The voltage converting circuit further includes a differential amplifier, an output circuit, a switching circuit and a switching control circuit. The switching control circuit and the switching circuit select one of the plurality of reference voltages and supply the selected reference voltage to the differential amplifier in response to an externally applied control signal. The differential amplifier and the output circuit apply the supplied reference voltage to an internal circuit.