形成单一磁畴降噪的带凹曲有源区的纵向偏置磁阻传感器

摘要

一种磁阻(“MR”)传感器，有凹曲形边缘结构，以便在有数的MR元件的中心提供有效的纵向偏置磁场，以便有效地消除多个磁畴状态和伴生的巴克豪森噪声。利用其中形成的凹曲形，元件的“带条高度”在有效区的中心处最小，朝向偏离一磁道边界增加。在优选实施例中，如果带条高度按照偏离一磁道距离平方的指数函数增加就可以遍及有源MR元件形成基本上恒定的有效的纵向偏置磁场。本发明的原理同样适用于旋阀(“SV”)或其它巨磁阻(“GMR”)传感器。

主权项

1.一种数据传感器，包括：基本上平直和通常为细长形的基片，它的第一轴线延伸在第一和第二端部之间，它的第二轴线基本上位于在所述第一端部和第二端部之间的中点；第一和第二纵向偏置元件叠置在所述基片之上，各自的第一和第二横向边缘邻接所述基片所述第一和第二端部，以及各自的第一和第二中间边缘与所述基本上中间点形成位移；磁致电阻区叠置在所述基片上，基本上延伸在所述第一和第二纵向偏置元件的所述第一和第二中间边缘之间，所述磁致电阻区沿从所述基本上的中间点到所述第一和第二纵向偏置元件的所述第一和第二中间边缘的所述第二轴线其宽度逐渐增加。