| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 通过向半导体衬底上照射粒子束生成半导体晶体的晶体缺陷的半导体器件的制造方法：在进行上述粒子束的照射之前，通过例如在10分钟以内升温到550～850℃的快速加热，在该温度下进行例如1秒～60分钟之间的热处理。即使由于电子束等粒子束的照射会生成晶体缺陷，从而缩短载流子的寿命而使开关速度达到高速化，电流放大倍数等电学特性也不会降低，故可得到满足开关速度和电学特性两方面要求的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1161104A | 申请公布日期 | 1997.10.01 |
| 申请号 | CN96190732.0 | 申请日期 | 1996.07.09 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 坂本和久 |
| 分类号 | H01L21/322 | 主分类号 | H01L21/322 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，该方法中通过对半导体衬底照射粒子束生成半导体晶体的晶体缺陷，其特征在于：在进行上述粒子束的照射之前的工序中进行快速加热热处理。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||