| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Einschaltregelung eines IGBT und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens angegeben. Im Gegensatz zum Stand der Technik wird nicht die Gatespannung als Steuergrösse verwendet wird, sondern der Gatestrom. Dieser beaufschlagt die Gateelektrode nach Massgabe eines Soll-Ist-Vergleichs einer an der Gateelektrode anliegenden Spannungs-Istwertes und eines entsprechenden Sollwertes. Die Regelung führt den Laststrom während des Schaltvorgangs auf einer vorgegebenen Trajektorie. Trotzdem ist lastseitig keine Stromerfassung notwendig. Statt dessen macht man sich zu Nutze, dass während des Einschaltens der MOSFET im IGBT dessen Verhalten dominiert. Es kann gezeigt werden, dass zwischen der Gatespannung und dem Laststrom ein quadratischer Zusammenhang besteht, sobald die Gatespannung grösser als die Thresholdspannung ist. Dies gilt, bis der volle Laststrom fliesst. Eine Regelung der Gatespannung auf eine bestimmte Trajektorie vom ausgeschalteten in den eingeschalteten Zustand lässt den Laststrom quadratisch proportional dazu ansteigen. Umgekehrt kann zu einem gewünschter Laststromverlauf der Gatespannungsverlauf leicht berechnet werden. Von Vorteil ist insbesondere auch die Tatsache, dass keine lastseitigen Messvorrichtungen benötigt werden. <IMAGE></p> |
