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发明名称
Overerase correction for flash memory which limits overerase and prevents erase verify errors
摘要
An integrated circuit including an array of flash EEPROM memory cells wherein overerase correction is provided after application of each erase pulse.
申请公布号
US5642311(A)
申请公布日期
1997.06.24
申请号
US19950547494
申请日期
1995.10.24
申请人
ADVANCED MICRO DEVICES
发明人
CLEVELAND, LEE;CHANG, CHUNG;TANG, YUAN;LEONG, NANCY;FLIESLER, MICHAEL;KUO, TIAO-HUA
分类号
G11C16/34;(IPC1-7):G11C7/00
主分类号
G11C16/34
代理机构
代理人
主权项
地址
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