发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Kontaktlochs in einer Halbleitervorrichtung
摘要
申请公布号 DE19651776(A1) 申请公布日期 1997.06.19
申请号 DE19961051776 申请日期 1996.12.12
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD., ICHON, KYOUNGKI, KR 发明人 LEE, BYUNG SEOK, ICHON, KR;JEONG, EI SAM, ICHON, KR;SONG, IL SEOK, ICHON, KR;LEE, HAE JUNG, ICHON, KR
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/311;H01L21/32;C23F1/12 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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