制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法

摘要

一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，其中用于形成晶体管源/漏的高浓度杂质扩散区与晶体管栅极重叠。因此，可减少栅极工作的延迟。由于高浓度杂质扩散区与栅极重叠，因而可获得晶体管工作速度的增加。栅极具有可降低栅极电阻的多晶化硅结构。

主权项

1一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅极氧化膜，和在栅极氧化膜上形成用于晶体管栅极的多晶硅层图形；在半导体衬底的露出部分形成低浓度的杂质扩散区；在形成低浓度的杂质扩散区之后获得的生成物结构上淀积金属膜；对金属膜进行热处理使其与多晶硅层图形的接触部分发生反应，从而形成金属硅化物膜和连同一起的多晶硅层图形，而构成栅极；对在形成金属硅化物膜之后所保留的金属膜各向同性地进行腐蚀；和在半导体衬底的露出部分注入高浓度的杂质离子，从而形成与栅极的金属硅化物膜重叠的晶体管的源/漏所用的高浓度杂质扩散区。