| 主权项 |
1. 一种半导体制造方法,该方法包括步骤:(a)于一半导体基片上依序沈积一氧化物层与一第一氮化物层;(b)藉由一第一照相平版印刷制程于一形成一第一导电型井的区域上选择性地蚀刻该第一氮化物层;(c) 离子植入该第一导电型之杂质;(d) 去除于该第一照相平版印刷制程期间使用之一光阻剂;(e) 于该基片之一完整表面上沈积一第二氮化物层;(f)藉由一第二照相平版印刷制程来去除该第一与第二氮化物层,除了其位于一主动区之上的部位;(g) 藉由一照相制程选择性地进行场离子植入;(h)藉由在一高温下热处理该基片来生成一场氧化物层并同时进行井扩散;及(i) 去除留在该主动区上的该第一与第二氮化物层。2.如申请专利范围第1项所述之半导体制造方法,其中该热处理制程系在至少1000℃的温度下进行。3.如申请专利范围第1项所述之半导体制造方法,其中该氧化物层具一250@fc(1.frch)8的厚度。4.如申请专利范围第1项所述之半导体制造方法,其中该第一氮化物层具一500@fc(1.frch)8的厚度。5.如申请专利范围第1项所述之半导体制造方法,其中该第二氮化物层具一1500@fc(1.frch)8的厚度。图示简单说明:第一图至第十图系为剖视图,说明依据前技之半导体制造过程;及第十一图至第十四图系为剖视图,说明依据本发明之一实 |
