电子束设备及驱动该设备的方法

摘要

一种电子束设备包括电子发射装置，与电子发射装置相距H的阳极，给装置加电压Vf(V)，和给阳极加电压Va(V)的装置。电子发射装置具有分布在与低电位端电极相连的低电位端导电薄膜和与高电位端电极相连的高电位端导电薄膜之间的电子发射区。该装置还具有含有半导体物质、厚度不超过10nm的薄膜。含半导体的薄膜在高电位端导电薄膜上从电子发射区向高电位端电极延伸一段长度L(m)。上面的Vf，Va，H和L满足关系：L≥(1/π)·(Vf/Va)·H。

主权项

1.一种电子束设备，其包括电子发射装置，阳极，给所述电子发射装置加电压Vf(V)的装置和给所述阳极加电压Va(V)的装置，所述电子发射装置和所述阳极分开一段距离H(m)，其中所述电子发射装置具有分布在与低电位端电极相连的低电位端导电薄膜和与高电位端电极相连的高电位端导电薄膜之间的电子发射区，还具有包括半导体物质、厚度不超过10nm的薄膜，所述含半导体薄膜在所述高电位端导电薄膜上从所述电子发射区向所述高电位端电极延伸，其长度满足公式(1)表达的关系：$L\ge \frac{1}{\pi }\frac{\mathrm{Vf}}{\mathrm{Va}}H---\left(1\right)$