发明名称 一种读取头装置及一种决定光束是否适当聚焦在光储存媒介的方法
摘要 一种读取头装置,适用于处理一存于反射性储存媒介之资料,其包括:一用以照射储存媒介之雷射,由该电射引起之光束可自该媒介反射;一全像元件,配置以接触被反射之光束,该全像元件具有两个用来依两相异方向以绕射该被反射之光束的区域,该区域在该全像元件上具有一空间关系,即在预先选择的情况下,该区域可接收等量的被反射之光束;及一光侦测器,配置以接收该经绕射之光束,并用以决定投射在每一区域之光束量。又一种决定光束是否适当聚焦在光储存媒介之方法,适于一具有第一和第二绕射区域之单一全像元件,其步骤包括: (A) 决定一自储存媒介反射并投射在第一区域上的光束量; (B) 决定一自储存媒介反射并投射在第二区域上的光束量; (C) 比较该投射在第一区域和第二区域的光束量,藉以决定该射线是否适当聚焦在该储存媒介上。
申请公布号 TW290669 申请公布日期 1996.11.11
申请号 TW084108770 申请日期 1995.08.22
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 任所之
分类号 G06K7/10 主分类号 G06K7/10
代理机构 代理人
主权项 1.一种读取头装置,适用于处理一存于反射性储存媒介之资讯,其包括:一用以照射储存媒介之雷射,由该雷射引起之光束可自该媒介反射;一全像元件,配置以接触被反射之光束,该全像元件具有两个用来依两相异方向以绕射该被反射之光束的区域,该区域在该全像元件上具有一空间关系,即在预先选择的情况下,该区域可接收等量的被反射之光束;及一光侦测器,配置以接收该经绕射之光束,并用以决定投射在每一区域之光束量2.如申请专利范围第1项所述之读取头装置,其中,该光侦测器更包括一装置,用以产生一可各自指示投射在每个区域之光束功率量的电子信号。3.如申请专利范围第2项所述之读取头装置,更包括一装置,用以比较该些电子信号,以藉此决定投射在每一区域上之相对功率。4.如申请专利范围第1项所述之读取头装置,其中,该预先选择的情况系指,该自雷射发射之光束是恰当的聚焦在该储存媒介上。5.如申请专利范围第1项所述之读取头装置,其中,该全像元件包括一全像镜。6.如申请专利范围第1项所述之读取头装置,其中,当取自遍及该全像元件之单一平面时,该全像元件区域系藉在该元件上之同心圆定义。7.如申请专利范围第1项所述之读取头装置,其中,该全像元件区域系定义在一藉由遍及该元件之平面所定义的单一圆内,该第一区域定义在两个平行且取自该圆之弦内,而该第二区域则定义在该第一区域外,但在该圆内之部分。8.如申请专利范围第1项所述之读取头装置,其中,该全像元件系定义在一藉由遍及该元件之平面所定义的单一圆内,该第一区域属于一横跨该圆之部分的横向细长区域,而第二区域则属于该圆之剩余部分。9.如申请专利范围第1项所述之读取头装置,该全像元件更包括第三和第四区域,该第三和第四区域各自以第三和第四方向绕射该被反射之光束,该第三和第四方向系不同于结合该两区域之绕射方向。10.如申请专利范围第9项所述之读取头装置,其中,该光侦测器包括一对被配置的光侦测器,用以各自侦测自该第一区域和第二区域绕射之光束,该对光侦测器系配置成使该全像元件环绕该结合读取头之光轴旋转,其可移动该各自相对该光侦测器对之一的第一或第二区域绕射的光束。11.一种决定光束是否适当聚焦在光储存媒介之方法,适于一具有第一和第二绕射区域之单一全像元件,其步骤包括:(A) 决定一自储存媒介反射并投射在第一区域上的光束量;(B) 决定一自储存媒介反射并投射在第二区域上的光束量;(C) 比较该投射在第一区域和第二区域的光束量,藉以决定该光束是否适当聚焦在该储存媒介上。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,步骤(A)系藉一可产生指示投射在第一区域之光束量的第一电子信号的次要步骤执行。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中,步骤(B)系藉一可产生指示投射在第二区域之光束量的第二电子信号的次要步骤执行。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中,步骤(C)系藉一比较第一和第二电子信号之次要步骤执行。15.如申请专利范围第11项所述之方法,更包括一步骤,以产生一可指示该投射在第一、第二区域之相对光束量的聚焦误差信号。图示简单说明:第1图系显示一依据本发明设计之光学读取头的概要图;第2图系显示一依据本发明设计之全像光学元件的实施例;第3A、3B图系显示一依据本发明设计之全像光学元件的第二实施例;第4图系显示一依据本发明设计之全像光学元件的第三实施例;第5图系显示一依据本发明设计之全像光学元件的第四实施例;第6A至6E图系显示一配合本发明之聚焦误差侦测方法;第7图系显示一依据本发明所引出之聚焦误差信号;第8A、8B图系显示一结合本发明之移除聚焦误差信号偏移的方法;第9.10图系显示一依据本发明引出之聚焦误差信号对聚焦偏移距离图;第11A、11B图系显示一结合本发明之交错寻轨公差对寻轨偏移距离图;及第12图系显示一依本发明引出之聚焦误差信号对聚焦偏移
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