淡渗植汲极结构的积体电路之制造方法

摘要

一种淡掺植汲极结构的积体电路之制造方法，其方法是，首先在一矽基底上方，沈积一层无掺杂杂质的第一复晶矽层。接着，以化学气相沈积法或是热氧化法，在第一复晶矽层表面形成一介电层。之后，以矽基底表面为蚀刻终点，蚀刻出一适当宽度的沟槽。再来，在介电层与第一复晶矽层的侧壁，亦即沟槽的两侧各形成一侧壁间隔层。接着，在矽基底裸露的表面形成一闸极氧化物层。之后，在闸极氧化物层、侧壁间隔层与介电层上方，沈积一层无掺杂杂质的第二复晶矽闸极层。再来，利用蚀刻制程，以第一复晶矽层为蚀刻终点，将部份介电层与部份第二复晶矽闸极层去除，形成闸极层。接着，进行离子布植制程，将掺杂杂质植入闸极层、第一复晶矽层与矽基底中。最后，进行掺杂杂质的扩散，以形成低浓度掺杂的源极／汲极区与高浓度掺杂的源极／汲极区，如此即完成淡掺植汲极结构的金氧半电晶体。

主权项

1. 一种淡掺植汲极结构的积体电路之制造方法,该制造方法包括下列步骤:(a) 在一矽基底上方形成一无掺杂杂质的第一复晶矽层;(b) 在该第一复晶矽层上方形成一介电层;(c) 蚀刻该第一复晶矽层与该介电层,直至该矽基底表面裸露出来,使之形成一沟槽;(d) 在该沟槽周围形成一侧壁间隔层;(e) 在该矽基底裸露的表面上方形成一闸极氧化物层;(f) 在该闸极氧化物层、该侧壁间隔层与该介电层上方形成一无掺杂杂质的第二复晶矽层;(g) 定义该第二复晶矽层与该介电层的图案,形成一闸极;(h) 利用离子布植法,对该闸极、该第一复晶矽层与该矽基底进行杂质掺植,并在该闸极外侧的该矽基底中,形成源极与汲极。2. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤a中之该第一复晶矽层的厚度是介于1000-4000@fc(1.frch)8。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤b中之该介电层的厚度是介于800-3000@fc(1.frch)8。4. 如申请专利范围第3项所述之方法,其中形成该介电层的方法是利用化学气相沈积法。5. 如申请专利范围第3项所述之方法,其中形成该介电层的方法是利用热氧化法。6. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤d中该侧壁间隔层的厚度是介于500-1500@fc(1.frch)8。7. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤h中植入之离子是砷离子,而植入能量是介于50-100kev,植入剂量是介于1E15-1E16 atoms/cm@su2。8. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤h中植入之离子是磷离子,而植入能量是介于30-80kev,植入剂量是介于1E15-1E16 atoms/cm@su2。9. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤h中之回火温度是介于800-950℃。图示简单说明:第1A-1C图是传统淡掺植汲极结构之金氧半电晶体的制造流程之剖面示意图;以及第2A-2D图是应用本发明之淡掺植汲极结构之金氧半电晶