发明名称 备有热解后过滤室及沉积室入口过滤器的聚对苯二甲撑沉积装置
摘要 本发明提供化学蒸汽淀积装置用以在制造半导体晶片时快速且有效沉积聚对苯二甲撑AF4在矽晶片上。该装置包括维持在一预定温度下之一个后热解室以便在进入沉积室中前捕集未经热解之二聚物,及经定位在沉积室入口上之一个过滤器构造而在沉积在晶片表面上前,滤出微观粒子和杂质。该后-热解室包括挡板用以捕集未经热解之二聚物而该过滤器材料宜由PTFE所构成。将该过滤器元件加热来防止沉积在过滤器上。
申请公布号 TW287295 申请公布日期 1996.10.01
申请号 TW084111933 申请日期 1995.11.10
申请人 专业薄层系统公司 发明人 威廉.比奇;约翰.华利;罗杰.奥森
分类号 H01L21/02;H01L21/205 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼;林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1. 一种聚对苯二甲撑沉积装置,包括: 一个汽化室; 经偶合至该汽化室上之一个热解室; 经偶合至该热解室上之一个后-热解室用以接收气 态之聚 对苯二甲撑单体,该后-热解室具有维持在大约22℃ 与大 约28℃间之一温度下的内壁且对于捕集自该热解 室出口之 未经热解之聚对苯二甲撑二聚物分子系有效; 经偶合至后-热解室上之一个沉积室用以接收气态 之聚对 苯二甲撑单体;及 真空设备用以创造负压状况在沉积室内,热解室内 ,后- 热解室内和汽化室内。2. 如申请专利范围第1项之 聚对苯二甲撑沉积装置,另外 包括过滤器设备系经配置在后-热解室与沉积室中 欲予涂 覆之基体间的气态聚对苯二甲撑单体的流程中,该 过滤器 系可操作以便在沉积至基体上前,过滤出聚对苯二 甲撑单 体中之杂质。3. 如申请专利范围第2项之聚对苯二 甲撑沉积装置,其中 该过滤器设备包括由PTFE所构成之一种过滤器材料 。4. 如申请专利范围第2项之聚对苯二甲撑沉积装 置,其中 将过滤器设备定位在接邻该沉积室的一个入口之 沉积室中 。5. 如申请专利范围第4项之聚对苯二甲撑沉积装 置,其中 该过滤器设备包括经截留在两个互补环间之一种 过滤(器) 材料,此两互补环系被紧固至沉积室的一个内部表 面上。6. 如申请专利范围第2项之聚对苯二甲撑沉 积装置,另外 包括用以加热该过滤器设备之设备。7. 一种聚对 苯二甲撑沉积装置,包括: 一个汽化室; 经偶合至该汽化室上之一个热解室; 经偶合至该热解室上之一个沉积室用以接收气态 之聚对苯 二甲撑单体; 过滤器设备系经配置在后-热解室与沉积室中欲予 涂覆之 基体间的气态聚对苯二甲撑单体的流程中,该过滤 器系可 操作以便在沉积至基体上前,过滤出聚对苯二甲撑 单体中 之杂质; 真空设备用以创造负压状况在沉积室内,热解室内 和汽化 室内。8. 如申请专利范围第7项之聚对苯二甲撑沉 积装置,其中 该过滤器设备包括由PTFE所构成之一种过滤器材料 。9. 如申请专利范围第7项之聚对苯二甲撑沉积装 置,其中 将过滤器设备定位在接邻该沉积室的一个入口之 沉积室中 。10. 如申请专利范围第9项之聚对苯二甲撑沉积 装置,其 中该过滤器设备包括经截留在两个互补环间之一 种过滤( 器)材料,此两个互补环系被紧固至沉积室的一个 内部表 面上。11. 如申请专利范围第7项之聚对苯二甲撑 沉积装置,另 外包括用以加热该过滤器设备之设备。图示简单 说明: 图1是本发明的聚对苯二甲撑蒸汽沉积装置之示意 图; 图2是本发明之聚对苯二甲撑沉积装置之前立面图 ; 图3是另外之前立面图,将沉积室组件与基座相分 离并将 一部份的基底部份略去来举例说明本发明之加热 和冷却压 板组合体; 图4是沿着图3之4-4线所取之装置的截面图; 图4A是沿着图4之4A-4A线所取之后热解室之截面图; 图5是汽化室之放大截面图; 图6是沿着图3之6-6线所取之装置的另外截面图; 图7是举例说明压板和各真空汽门之基底的顶视图 ; 图8A是沿着图7之8A-8A线所取之本发明上之石英晶 体厚 度/速率感测器之截面图; 图8B是沿着图7之8B-8B线所取之本发明的压板和静 电夹 紧装置之放大截面图; 图9是本发明之石英晶体厚度/速率感测器控制系 统之示 意图; 图10是沿着图3之10-10线所取之沉积室本体之截面 图; 及 图11是该沉积室本体之底视图举例说明真空岐管 之各开口
地址 美国