| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat métallisé utilisant une couche organique d'arrêt d'attaque.<BR/>Un substrat (21) reçoit une couche d'un métal (22), tel que de l'aluminium, puis une mince couche d'une matière diélectrique organique (23) qui n'est que partiellement durcie dans un premier temps. Un motif est ensuite formé dans la couche métallique (22) et produit une attaque latérale sous la couche (23). Puis une couche épaisse de matière diélectrique organique (24) est déposée et est amenée dans un état totalement durci en même temps que la couche (23). Lors du durcissement, cette couche diélectrique (23) épouse la forme de la couche métallique sous-jacente (22).<BR/>Domaine d'application: fabrication de circuits intégrés, etc.</P> |
