发明名称 | 用惰性气体混合物喷镀硅介质膜 | ||
摘要 | 公开了向基质(19)上喷镀非导体或半导体元素(如硅)薄膜或它们的化合物形成的电介质(如二氧化碳、氮化硅之类)薄膜时,控制磁控管溅射喷镀系统(图1)的工艺流程的方法和装置。使用了两种不同惰性气体(63,65)的混合物。选择两种或多种惰性气体的相对比例,以便减少溅射喷镀时发生弧光放电的概率,由此能够通过自动反馈控制系统(57,59,61)控制工艺流程,从而将它稳定维持在喷镀淀积速率特征曲线的理想时滞区(49)内。 | ||
申请公布号 | CN1131703A | 申请公布日期 | 1996.09.25 |
申请号 | CN95115245.9 | 申请日期 | 1995.08.02 |
申请人 | 美国BOC氧气集团有限公司 | 发明人 | S·扎拉比安;R·特里;J·D·沃尔夫 |
分类号 | C23C14/10 | 主分类号 | C23C14/10 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 林长安 |
主权项 | 1.在真空室(40)内由基本上全由非导电元素构成的标靶表面(17)向基质(19)上溅射喷镀物质的方法包含以下各步骤:向真空室中引进组合气体:它包含至少一种能与标靶元素起反应的气体(67),以及至少第1和第2惰性气体(63,65)的组合;使真空室中第1惰性气体(63)的分压落在所述至少第1和第2惰性气体组合的总分压的20%-80%的范围内;维持(由31)流进真空室中至少一种所述反应气体和至少所述的第1和第2两种惰性气体总组合的相对比例,使得系统运行在理想工作区(49),此时真空室中所述至少一种反应气体的分压基本为零。 | ||
地址 | 美国新泽西州 |