半导体之表面处理剂及处理方法

摘要

本发明有关半体导表面处理以一处理半体体的表面之方法进行时，可降低在氧化作用期间在矽表面上A1浓度以使其失去对氧化膜生成速率的影响，于半导的表面处理方法包含以半导体很面处理剂清洗半导体表面的步骤，该处理剂包含无机或有机硷、过氧化氢侑水为驻成份，及以超纯水、至少一半导体表面处理剂及含有做为错合剂之化合物或其盐类之超纯水淋洗之步骤，该做为错合剂之化合物在分子中具有三个或更多之＄＄基。