发明名称 Herstellungsverfahren für eine Halbleiterspeichereinrichtung
摘要
申请公布号 DE3918924(C2) 申请公布日期 1996.03.21
申请号 DE19893918924 申请日期 1989.06.09
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 WAKAMIYA, WATARU, ITAMI, HYOGO, JP;TANAKA, YOSHINORI, ITAMI, HYOGO, JP;EIMORI, TAKAHISA, ITAMI, HYOGO, JP;OZAKI, HIROJI, ITAMI, HYOGO, JP;KIMURA, HIROSHI, ITAMI, HYOGO, JP;SATOH, SHINICHI, ITAMI, HYOGO, JP
分类号 H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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