DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON OXIDO DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA.

摘要

SE DESCRIBEN OXIDOS DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA ADECUADOS PARA USAR COMO OXIDOS DE PUERTA DELGADA O EN CAPACITORES DE ALMACENAMIENTO DE CARGA. LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DIELECTRICAS SE FORMAN SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURAS DE DEFECTOS DESALINEADOS. LUEGO SE FORMA UNA TERCERA CAPA (UN OXIDO) POR DIFUSION DE UNA ESPECIE OXIDANTE A TRAVES DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DEL SUBSTRATO. LA ESPECIE REACCIONA CON EL SUBSTRATO. LA BAJA DENSIDAD DE DEFECTOS RESULTA DE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DESALINEADOS DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS. EN UNA INCORPORACION, LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS SON OXIDOS FORMADOS Y DEPOSITADOS, RESPECTIVAMENTE. LA TERCERA CAPA SE FORMA POR DIFUSION DE OXIGENO A TRAVES DE LAS DOS PRIMERAS CAPAS, DONDE LA INTERFASE ENTRE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS ACTUA COMO SUMIDERO ATRAPADOR DE DEFECTOS. LA INTERFASE DE OXIDO DE SILICIO TIENE CARACTERISTICAS DESEABLES (ESENCIALMENTE PLANA Y SIN TENSION) DEBIDO A LA FORMACION DE OXIDO EN CONDICIONES PROXIMAS AL EQUILIBRIO.