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发明名称 Kontakt in einer Bohrung in einem Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung.
摘要
申请公布号 DE3851163(D1) 申请公布日期 1994.09.29
申请号 DE19883851163 申请日期 1988.02.11
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC., SUNNYVALE, CALIF., US 发明人 DIXIT, PANKAJ, NO. 201 SUNNYVALE CALIFORNIA 94086, US;SLIWA, JACK, LOS ALTOS HILLS CALIFORNIA 94022, US;KLEIN, RICHARD K., MT. VIEW CALIFORNIA 94043, US;SANDER, CRAIG S., MT. VIEW CALIFORNIA 94043, US;FARNAAM, MOHAMMAD, NO. 349 SANTA CLARA CALIFORNIA 95051, US
分类号 H01L29/43;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/60 主分类号 H01L29/43
代理机构 代理人
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