| 发明名称 |
FORMATION OF THE GATE INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06209009(A) |
申请公布日期 |
1994.07.26 |
| 申请号 |
JP19930284230 |
申请日期 |
1993.10.20 |
| 申请人 |
GOLD STAR ELECTRON CO LTD |
发明人 |
HIYON SAN HEN |
| 分类号 |
H01L21/318;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L29/784 |
主分类号 |
H01L21/318 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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