| 摘要 |
La fabrication de fils quantiques est compliquée. L'invention concerne un mode de fabrication simplifié de fils quantiques, ainsi qu'un mode de fabrication simplifié de composants munis de fils de ce type. Une couche monocristalline (3) de matière semi-conductrice est obtenue par croissance épitaxiale sur la surface (10) d'un substrat (1), au niveau de l'arête marginale (21) de la couche de masquage (2) appliquée sur le substrat. La couche monocristalline (3) de matière semi-conductrice comporte deux surfaces cristallines (30, 31) extérieures perpendiculaires l'une par rapport à l'autre, contiguës le long de l'arête marginale (21) de la couche de masquage (2). Ces surfaces cristallines (30, 31) définissent une arête marginale (33) de la couche monocristalline (3), qui passe le long de l'arête marginale (21) de la couche de masquage (2). Une couche de puits quantique (4) d'une autre matière semi-conductrice est obtenue par croissance sur ces surfaces cristallines (30, 31). L'autre matière semi-conductrice est modifiée dans une zone (70) qui s'étend le long de l'arête marginale (33) de la couche monocristalline. Cette zone (70) définit le fil quantique à réaliser. Ce procédé trouve des applications dans la production des transistors de commutation rapide. |
