| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE FILMS MINCES DE MATERIAU SEMICONDUCTEUR. |
| 摘要 |
Procédé de préparation de films minces de matériau semiconducteur caractérisé en ce qu'il consiste à soumettre une plaquette d'un matériau semiconducteur comportant une face plane dans le cas où le matériau est polycristallin, aux trois étapes suivantes: <BR/> - une première étape d'implantation par bombardement (2) de la face (4) de ladite plaquette (1) au moyen d'ions créant dans le volume de la dite plaquette une couche (3) de microbulles gazeuses délimitant dans le volume de la dite plaquette une région inférieure (6) constituant la masse du substrat et une région supérieure (5) constituant le film mince, <BR/> - une deuxième étape de mise en contact intime de la face plane (4) de la dite plaquette avec un raidisseur (7) constitué d'au moins une couche de matériau rigide; <BR/> - une troisième étape de traitement thermique de l'ensemble de la dite plaquette (1) et du dit raidisseur (7) à une température supérieure à la température à laquelle est réalisé le bombardement (2) ionique et suffisante pour créer par effet de réarrangement cristallin dans la dite plaquette (1) et de pression dans les microbulles une séparation entre le film mince (5) et la masse du substrat (6).
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| 申请公布号 |
FR2681472(A1) |
申请公布日期 |
1993.03.19 |
| 申请号 |
FR19910011491 |
申请日期 |
1991.09.18 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
BRUEL MICHEL |
| 分类号 |
H01L21/205;B28D1/00;B28D5/00;G01L9/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/265;H01L21/762;H01L27/12;H01L31/04;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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