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发明名称 N-TYPE IMPURITY DOPING METHOD IN IV SEMICONDUCTOR MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL GROWTH
摘要
申请公布号 JPH04297020(A) 申请公布日期 1992.10.21
申请号 JP19910207699 申请日期 1991.08.20
申请人 NEC CORP 发明人 KAWANAKA MASAFUMI
分类号 C23C16/44;C23C16/452;C23C16/458;H01L21/203 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
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