| 发明名称 |
INTERMEDIATE POTENTIAL GENERATING CIRCUIT AND DYNAMIC SEMICONDUCTOR MEMORY USING SAID CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0442313(A) |
申请公布日期 |
1992.02.12 |
| 申请号 |
JP19900148475 |
申请日期 |
1990.06.08 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
NAKANO HIROAKI;WATANABE SHIGEYOSHI;WATANABE YOJI |
| 分类号 |
G11C11/407;G05F3/24;G11C11/409;H03K19/00 |
主分类号 |
G11C11/407 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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