通过控制硅的制造来改善直接工艺性能的一种方法

摘要

本发明公开了一种用不挥发的磷化合物处理硅的方法，以使该硅能用在制造烷基卤硅烷的直接艺中。用在提纯期间或以后，向硅中输送磷化合物的方法，实现对该硅的处理。

主权项

1.一种改善烷基卤硅烷的制造工艺的方法，该工艺包括，在有锡或锡化合物，和铜或铜化合物。其中至少还有磷助触媒(它占反应物料中硅的25～2500ppm)存在的情况下，在250℃～350℃的温度条件下，使烷基卤与硅接触；其特征在于通过在提纯硅时在硅料中掺入一种不挥发的磁化合物的方法来控制硅中磷助触媒的含量。