| 发明名称 |
Memory cell having means for maintaining the gate and substrate at the same potential |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5051956(A) |
申请公布日期 |
1991.09.24 |
| 申请号 |
US19890327639 |
申请日期 |
1989.03.23 |
| 申请人 |
HUGHES MICROELECTRONICS LIMITED |
发明人 |
BURNS, DANIEL |
| 分类号 |
G11C17/00;G11C14/00;G11C16/04 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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