发明名称 | 铌三锡高场导体的制备方法 | ||
摘要 | 本发明是铌管富锡法制备Nb3Sn高场导体方法的改进,属于超导导体的加工工艺,本发明通过同时将第三元素Ti和第四元素Mg加入到Nb材和母材中,明显改盖了Nb3Sn导体在0-20特拉斯整个实用磁场范围的载流能力。 | ||
申请公布号 | CN1013905B | 申请公布日期 | 1991.09.11 |
申请号 | CN88105619.7 | 申请日期 | 1988.12.23 |
申请人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明人 | 何牧 |
分类号 | H01B12/00 | 主分类号 | H01B12/00 |
代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 季良赳 |
主权项 | 1.一种铌管富锡法制备Nb3Sn高场导体方法的改进,属于超导导体的加工工艺,它包括铜管、富锡合金及铌管或打孔铌锭的冷拉、酸洗、复合以及复合棒的冷拉,拧扭和扩散热处理工艺,本发明的特征是将Ti作为第三元素以(0.4-1.5)wt%加入到作为原料的Nb管,紫铜管、单芯挤压管的内铜套或Nb锭中,而将第四元素Mg以(0.4-1.2)wt%加入到富锡合金中,或者将第三元素Ti以(0.5-1.5)wt%加入到富锡合金中,而将第四元素Mg以(0.2-3)wt%加入到紫铜管中。 | ||
地址 | 上海市长宁区长宁路865号 |