发明名称 铌三锡高场导体的制备方法
摘要 本发明是铌管富锡法制备Nb3Sn高场导体方法的改进,属于超导导体的加工工艺,本发明通过同时将第三元素Ti和第四元素Mg加入到Nb材和母材中,明显改盖了Nb3Sn导体在0-20特拉斯整个实用磁场范围的载流能力。
申请公布号 CN1013905B 申请公布日期 1991.09.11
申请号 CN88105619.7 申请日期 1988.12.23
申请人 中国科学院上海冶金研究所 发明人 何牧
分类号 H01B12/00 主分类号 H01B12/00
代理机构 中国科学院上海专利事务所 代理人 季良赳
主权项 1.一种铌管富锡法制备Nb3Sn高场导体方法的改进,属于超导导体的加工工艺,它包括铜管、富锡合金及铌管或打孔铌锭的冷拉、酸洗、复合以及复合棒的冷拉,拧扭和扩散热处理工艺,本发明的特征是将Ti作为第三元素以(0.4-1.5)wt%加入到作为原料的Nb管,紫铜管、单芯挤压管的内铜套或Nb锭中,而将第四元素Mg以(0.4-1.2)wt%加入到富锡合金中,或者将第三元素Ti以(0.5-1.5)wt%加入到富锡合金中,而将第四元素Mg以(0.2-3)wt%加入到紫铜管中。
地址 上海市长宁区长宁路865号
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