发明名称 正交的磁性存贮介质
摘要 包括基片和在其上形成的正交磁性各向异性膜的正交磁性存贮介质,其特征在于,该膜是金属次氧化物膜,其组成可用式[(Fe1-xCox),1-yMy1-xOx[其中,0.01≤x≤0.75,0≤y≤0.30,0.05≤z≤0.50,M代表一种或多种选自Al、Cr、Mo、Ti和ZR的金属)表示;该膜有与膜平面垂直的易磁化轴;可观察到由氧化的Fe产生的x射线衍射强度峰和由金属态Fe、Co及M产生的x射线衍射强度峰。
申请公布号 CN1009401B 申请公布日期 1990.08.29
申请号 CN87101975.2 申请日期 1987.03.18
申请人 钟渊化学工业株式会社 发明人 那须昌吾;斋木幸治
分类号 G11B5/85 主分类号 G11B5/85
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 罗英铭;陈季壮
主权项 1、一种包括基片和在基片上形成的正交磁性各向异性膜的正交磁性存贮介质,其特征在于上述正交磁性各向异性膜是一种其组成可用通式[(Fe<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>)<sub>1-y</sub>M<sub>y</sub>]<sub>1-z</sub>O<sub>z</sub>(其中0.01≤X≤0.75,0≤Y≤0.30,0.05≤Z≤0.50,M代表一种或多种选自Al、Cr、Mo、Ti和Zr的金属)表示的金属次氧化物膜;该膜有与膜平面垂直的易磁化轴;在X射线衍射谱上可以观察到由氧化的Fe产生的X射线衍射强度峰和由金属态Fe、Co以及金属M产生的X射线衍射强度峰。
地址 日本大阪府大阪市
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