| 发明名称 |
Process for fabricating charge-coupled device with reduced surface state at semiconductor-insulator interface |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4952523(A) |
申请公布日期 |
1990.08.28 |
| 申请号 |
US19890331701 |
申请日期 |
1989.03.31 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
FUJII, ICHIRO |
| 分类号 |
H01L29/762;H01L21/339;H01L27/148;H01L29/10;H01L29/76;H01L29/772 |
主分类号 |
H01L29/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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