| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR IC DEVICE WITH IMPROVED ELEMENT ISOLATING SCHEME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0361121(A3) |
申请公布日期 |
1990.07.25 |
| 申请号 |
EP19890116101 |
申请日期 |
1989.08.31 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
HATANO, HIROSHI C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/765;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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