发明名称 COMPONENTE A SEMICONDUTTORI
摘要 In a semiconductor component, in particular, a high-voltage transistor, with an oxygen doped or nitrogen doped silicon layer on the surface, a glass layer is provided between the doped silicon layer and the semi-conductor surface.
申请公布号 IT1198145(B) 申请公布日期 1988.12.21
申请号 IT19860022418 申请日期 1986.11.21
申请人 TELEFUNKEN ELECTRONICH GMBH 发明人
分类号 H01L23/532;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L23/532
代理机构 代理人
主权项
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