| 发明名称 | 一种含硼铜基厚膜导体 | ||
| 摘要 | 一种含硼铜基厚膜导体，包括使优先氧化材料B、Al、Zn同Cu合金化，使所得合金与Si、Ai、Ca、Mg、Na、K、Co、Pb、Zn的氧化物混合，加入有机载体以形成浆料，将浆料漏印到陶瓷基片上，并在560～850℃温度范围内和大气中烧成。所制得的厚膜导体具有良好的导电性、抗湿性和较低成本，最佳电阻率≤1.25×10-5Ω·cm，导体可用于微电路端接和多层布线。 | ||
| 申请公布号 | CN87101846B | 申请公布日期 | 1988.06.29 |
| 申请号 | CN87101846 | 申请日期 | 1987.03.07 |
| 申请人 | 中国有色金属工业总公司昆明贵金属研究所 | 发明人 | 谭富彬;赵玲 |
| 分类号 | H01B1/02;H01L27/01;H05K3/10 | 主分类号 | H01B1/02 |
| 代理机构 | 云南省专利事务所 | 代理人 | 何通培 |
| 主权项 | 1、一种含硼铜基厚膜导体，由金属粉末和玻璃料的混合物组成，所说的金属粉末和玻璃料在所说的混合物中的含量分别为85～97Wt.%和3～5Wt.%，所说的玻璃料的成分为（Wt.%）：SiO<sub>2</sub>7.0～69.5，CaO0～6.0，BaO0～5.0，Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.5～3.0，MgO0～3.0，Na<sub>2</sub>O0～15.0，K<sub>2</sub>O0～4.0，Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0～1.0，PbO0～82.5，ZnO0～7.0，本发明的特征是，所说的金属粉末是一种含硼的铜基合金粉末，其成分为（Wt.%）：B2～15，Al0.1～0.8，Zn0.1～1.2，Cu余量。 | ||
| 地址 | 云南省昆明市85信箱 | ||