Npn bipolar transistor with extremely thin emitter/base structure and method for manufacturing the same.

摘要

Bipolartransistorstrukturen vom Typ npn mit extrem flachen Emitter/Basis-Zonen (2, 4) werden erhalten, wenn die Bildung der aktiven Basiszone (2) unter der Emitterzone (4) neben der Bor-Ionenimplantation mit einer Phosphor-Ionenimplantation mit etwas größerer Eindringtiefe erfolgt (Figur 1). Hierdurch wird der "Channeling"-Schwanz des Bordotierungsprofils umdotiert und die Basisweite WB drastisch reduziert. Die Erfindung wird bei der Herstellung hochintegrierter CMOS-Schaltungen verwendet.