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<p>Circuit amplificateur distribué large bande constitué de plusieurs transistors à effet de champ (T1-T8) dont les grilles sont connectées à des inductances (L1-L8) de manière à former une ligne de transmission dite ligne de grille (LG), dont les drains sont connectés à des inductances (L11-L18) de manière à former une ligne de transmission dite ligne de drain (LD, et dont les sources sont reliées à la masse, la distribution des étages le long de la ligne de grille et de drain étant faite de manière telle que ces lignes de grille (LG) et de drain (LD) sont périodiquement chargées par leur propre impédance et par les capacités de grille et de drain des transistors (T1-T8) constituant ainsi des lignes dites artificielles, et telle qu'un signal d'entrée hyperfréquences est appliqué sur l'entrée (E) de la ligne de grille(LG) et un signal de sortie hyperfréquences amplifié est prélevé sur la sortie (S) de la ligne de drain (LD), les extrémités des lignes de grille et de drain opposées aux entrées-sorties (E,S) étant fermées sur des charges (CD, CG), et au moins une de ces extrémités de ligne comportant un circuit de polarisation (P), caractérisé en ce que l'extrémité de la ligne de drain (LD) opposée à la sortie (S) est seule munie de moyens de polarisations (P) tandis que l'extrémité de la ligne de grille (LG) opposée à l'entrée (E) est munie de moyens (LM) pour compenser les variations de l'impédance caractéristique des lignes artificielles en fonction de la fréquence.</p> |
